• Память оперативная DDR3 1333  2Gb KINGSTON
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1333 МГц
    Пропускная способность: 10600 Мб/с
    Объем: 1 модуль 2 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 9
    RAS to CAS Delay (tRCD): 9
    Row Precharge Delay (tRP): 9
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.5 В
    Количество Rank: 1
    1 670 Р
  • Память оперативная DDR3 1600  4Gb Foxline CL11 (GH)
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Поддержка XMP: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 11
    Дополнительно
    Напряжение питания: 1.5 В
    2 970 Р
  • Память оперативная DDR3 1600  4Gb Foxline CL11 (G)
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 11
    2 530 Р
  • Память оперативная DDR3 1600  4Gb Hynix
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Дополнительно
    Напряжение питания: 1.5 В
    2 560 Р
  • Память оперативная DDR3 1600  8Gb KINGSTON CL11 BOX
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 8 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 11
    RAS to CAS Delay (tRCD): 11
    Row Precharge Delay (tRP): 11
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.5 В
    Количество Rank: 2
    5 220 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR3 1333  4Gb Foxline CL9
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1333 МГц
    Пропускная способность: 10600 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 9
    2 490 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR3 1600  4Gb KINGSTON KVR16N11S8/4
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 11
    RAS to CAS Delay (tRCD): 11
    Row Precharge Delay (tRP): 11
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.5 В
    Количество Rank: 1
    1 460 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR3L 1600  4Gb KINGSTON Non-ECC CL11, 1.35V
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3L
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 11
    Дополнительно
    Напряжение питания: 1.35 В
    2 580 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR3 1333  4Gb Patriot PSD34G13332 RTL PC3-10600 CL9 DIMM 240-pin 1.5В
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1333 МГц
    Пропускная способность: 10600 МБ/с
    Объем: 1 модуль 4 ГБ
    Поддержка ECC: нет
    Поддержка XMP: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 9
    RAS to CAS Delay (tRCD): 9
    Row Precharge Delay (tRP): 9
    Activate to Precharge Delay (tRAS): 24
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.5 В
    Количество ранков: 2
    2 250 Р