• Память оперативная DDR4 2133  4Gb Samsung 1.2V
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR4
    Форм-фактор: DIMM 288-контактный
    Тактовая частота: 2133 МГц
    Пропускная способность: 17000 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 15
    RAS to CAS Delay (tRCD): 15
    Row Precharge Delay (tRP): 15
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.2 В
    Количество Rank: 1
    4 160 Р
  • Память оперативная DDR3 1333  2Gb KINGSTON
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1333 МГц
    Пропускная способность: 10600 Мб/с
    Объем: 1 модуль 2 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 9
    RAS to CAS Delay (tRCD): 9
    Row Precharge Delay (tRP): 9
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.5 В
    Количество Rank: 1
    1 670 Р
  • Память оперативная DDR3 1333  4Gb Foxline CL9
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1333 МГц
    Пропускная способность: 10600 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 9
    2 490 Р
  • Память оперативная SO-DIMM DDRII 667 256Mb Transcend
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR2
    Форм-фактор: SODIMM 200-контактный
    Тактовая частота: 667 МГц
    Пропускная способность: 5300 Мб/с
    Объем: 1 модуль 256 Мб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 5
    RAS to CAS Delay (tRCD): 5
    Row Precharge Delay (tRP): 5
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.8 В
    Количество Rank: 1
    80 Р
  • Память оперативная DDR3 1600  4Gb Foxline CL11 (GH)
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Поддержка XMP: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 11
    Дополнительно
    Напряжение питания: 1.5 В
    2 970 Р
  • Память оперативная DDR3 1600  4Gb Foxline CL11 (G)
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 11
    2 530 Р
  • Память оперативная DDR4 2400  4Gb Samsung 1.2V
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR4
    Форм-фактор: DIMM 288-контактный
    Тактовая частота: 2400 МГц
    Пропускная способность: 19200 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 17
    RAS to CAS Delay (tRCD): 17
    Row Precharge Delay (tRP): 17
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.2 В
    Количество Rank: 1
    3 600 Р
  • Память оперативная DDR3 1600  4Gb Hynix
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Дополнительно
    Напряжение питания: 1.5 В
    2 560 Р
  • Память оперативная DDR3 1600  4Gb KINGSTON CL11
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 11
    RAS to CAS Delay (tRCD): 11
    Row Precharge Delay (tRP): 11
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.5 В
    Количество Rank: 1
    2 500 Р
  • Память оперативная DDR3 1600  8Gb KINGSTON CL11 BOX
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 8 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 11
    RAS to CAS Delay (tRCD): 11
    Row Precharge Delay (tRP): 11
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.5 В
    Количество Rank: 2
    5 220 Р
  • Память оперативная DDR4 2400  4Gb Crucial PC4-19200 CL17 SR x8 Unbuffered DIMM 288pin
    Подробные характеристики
    Тип памяти: DDR4
    Форм-фактор: DIMM 288-контактный
    Тактовая частота: 2400 МГц
    Пропускная способность: 19200 МБ/с
    Объем: 1 модуль 4 ГБ
    Поддержка ECC: нет
    Поддержка XMP: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 17
    Дополнительно:
    Напряжение питания: 1.2 В
    Количество ранков: 1
    2 100 Р
  • Память оперативная DDR3L 1600  4Gb KINGSTON Non-ECC CL11, 1.35V
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3L
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 11
    Дополнительно
    Напряжение питания: 1.35 В
    2 580 Р
  • Память оперативная DDR3 1333  4Gb Patriot PSD34G13332 RTL PC3-10600 CL9 DIMM 240-pin 1.5В
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1333 МГц
    Пропускная способность: 10600 МБ/с
    Объем: 1 модуль 4 ГБ
    Поддержка ECC: нет
    Поддержка XMP: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 9
    RAS to CAS Delay (tRCD): 9
    Row Precharge Delay (tRP): 9
    Activate to Precharge Delay (tRAS): 24
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.5 В
    Количество ранков: 2
    1 940 Р
  • Под заказ
    Память оперативная SO-DIMM DDR3 1333 2Gb KINGSTON
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: SODIMM 204-контактный
    Тактовая частота: 1333 МГц
    Пропускная способность: 10600 Мб/с
    Объем: 1 модуль 2 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 9
    RAS to CAS Delay (tRCD): 9
    Row Precharge Delay (tRP): 9
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.5 В
    Количество Rank: 1
    1 290 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR4 2133  8Gb Samsung 1.2V, Стандарт PC-17000
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR4
    Форм-фактор: DIMM 288-контактный
    Тактовая частота: 2133 МГц
    Пропускная способность: 17000 Мб/с
    Объем: 1 модуль 8 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 15
    RAS to CAS Delay (tRCD): 15
    Row Precharge Delay (tRP): 15
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.2 В
    Количество Rank: 2
    6 880 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR4 2133  4Gb Crucial (PC4-17000) CL15 SR x8 Unbuffered DIMM 288pin
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR4
    Форм-фактор: DIMM 288-контактный
    Тактовая частота: 2133 МГц
    Пропускная способность: 17000 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 15
    Дополнительно
    Напряжение питания: 1.2 В
    Количество Rank: 1
    4 310 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR3 1600  2Gb KINGSTON
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 2 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 11
    RAS to CAS Delay (tRCD): 11
    Row Precharge Delay (tRP): 11
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.5 В
    Количество Rank:1
    1 460 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR4 2133  4Gb Patriot PSD44G213341 RTL PC4-17000 CL15 DIMM 288-pin 1.2В
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR4
    Форм-фактор: DIMM 288-контактный
    Тактовая частота: 2133 МГц
    Пропускная способность: 17000 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Поддержка XMP: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 15
    Дополнительно
    Напряжение питания: 1.2 В
    4 310 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR4 2400  4Gb Patriot RTL PC4-19200 CL17 DIMM 288-pin 1.2В
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR4
    Форм-фактор: DIMM 288-контактный
    Тактовая частота: 2400 МГц
    Пропускная способность: 19200 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Поддержка XMP: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 17
    Дополнительно
    Напряжение питания: 1.2 В
    4 310 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR4 2133  4Gb Foxline CL15
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR4
    Форм-фактор: DIMM 288-контактный
    Тактовая частота: 2133 МГц
    Пропускная способность: 17000 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Поддержка XMP: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 15
    3 520 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR4 2133  4Gb KINGSTON ECC CL15 1Rx8
    Подробные характеристики:
    Тип памяти: DDR4
    Форм-фактор: DIMM 288-контактный
    Тактовая частота: 2133 МГц
    Пропускная способность: 17000 МБ/с
    Объем: 1 модуль 4 ГБ
    Поддержка ECC: есть
    Поддержка XMP: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги:
    CAS Latency (CL): 15
    RAS to CAS Delay (tRCD): 15
    Row Precharge Delay (tRP): 15
    Дополнительно:
    Количество чипов каждого модуля: 9, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.2 В
    Количество ранков: 1
    4 150 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR4 2400  4Gb Samsung PC19200, 1.2V
    Подробные характеристики
    Тип памяти: DDR4
    Форм-фактор: DIMM 288-контактный
    Тактовая частота: 2400 МГц
    Пропускная способность: 19200 МБ/с
    Объем: 1 модуль 4 ГБ
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 17
    RAS to CAS Delay (tRCD): 17
    Row Precharge Delay (tRP): 17
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.2 В
    Количество ранков: 1
    3 490 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR3 1600  4Gb Silicon Power
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 11
    Дополнительно
    Напряжение питания: 1.5 В
    Количество Rank: 2
    3 060 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR4 2400  8Gb Crucial CT8G4DFS824A CL17 SR x8 Unbuffered DIMM 288pin
    Подробные характеристики
    Тип памяти: DDR4
    Форм-фактор: DIMM 288-контактный
    Тактовая частота: 2400 МГц
    Пропускная способность: 19200 МБ/с
    Объем: 1 модуль 8 ГБ
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 17
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.2 В
    Количество ранков: 1
    2 970 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR4 2400  4Gb Kingston 1.2V RTL PC4-19200 CL17 DIMM 288-pin
    Подробные характеристики
    Тип памяти: DDR4
    Форм-фактор: DIMM 288-контактный
    Тактовая частота: 2400 МГц
    Пропускная способность: 19200 МБ/с
    Объем: 1 модуль 4 ГБ
    Поддержка ECC: нет
    Поддержка XMP: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 17
    RAS to CAS Delay (tRCD): 17
    Row Precharge Delay (tRP): 17
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.2 В
    Количество ранков: 1
    3 070 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR3L 1600  4Gb Crucial
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3L
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 11
    Дополнительно
    Напряжение питания: 1.35 В
    2 660 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR3L 1600  8Gb KINGSTON Non-ECC CL11, 1.35V
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3L
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 8 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 11
    Дополнительно
    Напряжение питания: 1.35 В
    5 650 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR4 2133  4Gb KINGSTON CL14 HyperX FURY Black Series
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR4
    Форм-фактор: DIMM 288-контактный
    Тактовая частота: 2133 МГц
    Пропускная способность: 17000 МБ/с
    Объем: 1 модуль 4 ГБ
    Поддержка ECC: нет
    Поддержка XMP: есть
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 14
    RAS to CAS Delay (tRCD): 14
    Row Precharge Delay (tRP): 14
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.2 В
    Радиатор: есть
    Количество ранков: 1
    3 310 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR4 2133  8Gb KINGSTON CL14 HyperX FURY Black Series
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR4
    Форм-фактор: DIMM 288-контактный
    Тактовая частота: 2133 МГц
    Пропускная способность: 17000 МБ/с
    Объем: 1 модуль 8 ГБ
    Поддержка ECC: нет
    Поддержка XMP: есть
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 14
    RAS to CAS Delay (tRCD): 14
    Row Precharge Delay (tRP): 14
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.2 В
    Радиатор: есть
    Количество ранков: 1
    6 110 Р