• Память оперативная DDR4 2133  4Gb Samsung 1.2V
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR4
    Форм-фактор: DIMM 288-контактный
    Тактовая частота: 2133 МГц
    Пропускная способность: 17000 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 15
    RAS to CAS Delay (tRCD): 15
    Row Precharge Delay (tRP): 15
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.2 В
    Количество Rank: 1
    2 880 Р
  • Память оперативная DDR3 1333  2Gb KINGSTON
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1333 МГц
    Пропускная способность: 10600 Мб/с
    Объем: 1 модуль 2 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 9
    RAS to CAS Delay (tRCD): 9
    Row Precharge Delay (tRP): 9
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.5 В
    Количество Rank: 1
    1 680 Р
  • Память оперативная SO-DIMM DDRII 667 256Mb Transcend
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR2
    Форм-фактор: SODIMM 200-контактный
    Тактовая частота: 667 МГц
    Пропускная способность: 5300 Мб/с
    Объем: 1 модуль 256 Мб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 5
    RAS to CAS Delay (tRCD): 5
    Row Precharge Delay (tRP): 5
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.8 В
    Количество Rank: 1
    100 Р
  • Память оперативная DDR3 1600  4Gb Foxline CL11 (G)
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 11
    2 550 Р
  • Память оперативная DDR3 1600  4Gb Hynix
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Дополнительно
    Напряжение питания: 1.5 В
    2 560 Р
  • Память оперативная DDR3 1600  8Gb KINGSTON CL11 BOX
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 8 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 11
    RAS to CAS Delay (tRCD): 11
    Row Precharge Delay (tRP): 11
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.5 В
    Количество Rank: 2
    4 270 Р
  • Память оперативная DDR4 2400  8Gb Crucial CT8G4DFS824A CL17 SR x8 Unbuffered DIMM 288pin
    Подробные характеристики
    Тип памяти: DDR4
    Форм-фактор: DIMM 288-контактный
    Тактовая частота: 2400 МГц
    Пропускная способность: 19200 МБ/с
    Объем: 1 модуль 8 ГБ
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 17
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.2 В
    Количество ранков: 1
    3 790 Р
  • Память оперативная DDR4 2400  4Gb Crucial PC4-19200 CL17 SR x8 Unbuffered DIMM 288pin
    Подробные характеристики
    Тип памяти: DDR4
    Форм-фактор: DIMM 288-контактный
    Тактовая частота: 2400 МГц
    Пропускная способность: 19200 МБ/с
    Объем: 1 модуль 4 ГБ
    Поддержка ECC: нет
    Поддержка XMP: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 17
    Дополнительно:
    Напряжение питания: 1.2 В
    Количество ранков: 1
    2 210 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR3 1600  4Gb KINGSTON KVR16N11S8/4
    Общие характеристики
    Тип памяти: DDR3
    Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Тактовая частота: 1600 МГц
    Пропускная способность: 12800 Мб/с
    Объем: 1 модуль 4 Гб
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Тайминги
    CAS Latency (CL): 11
    RAS to CAS Delay (tRCD): 11
    Row Precharge Delay (tRP): 11
    Дополнительно
    Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка
    Напряжение питания: 1.5 В
    Количество Rank: 1
    2 450 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR4 2400  8Gb KINGSTON CL15 HyperX FURY Black Series
    Тип памяти DDR4
    Количество в упаковке 1
    Объем 8192
    Частотная спецификация 2400
    Форм-фактор DIMM
    Буферизация unbuffered
    Количество контактов 288-pin
    Показатель скорости PC4-19200
    Латентность CL15
    Количество рангов (Ranks) single rank
    Радиатор охлаждения ДА
    Тип поставки Ret
    4 030 Р
  • Под заказ
    Память оперативная DDR4 2400  8Gb KINGSTON CL15 HyperX FURY Black